Experimental Observation of Negative Susceptance in HfO2-Based RRAM Devices

Producción Científica

Detalles Bibliográficos
Autores: Dueñas Carazo, Salvador, Castán Lanaspa, María Helena, García García, Héctor, Ossorio, Oscar G., Dominguez, Luis A., Miranda, Enrique
Tipo de recurso: artículo
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2017
País:España
Institución:Universidad de Valladolid
Repositorio:UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
OAI Identifier:oai:uvadoc.uva.es:10324/65984
Acceso en línea:https://doi.org/10.1109/LED.2017.2723054
https://uvadoc.uva.es/handle/10324/65984
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:Hafnium oxide
meminductor
MIM capacitor
Descripción
Sumario:Producción Científica

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