Electrical characterization of defects created by γ-radiation in HfO2-based MIS structures for RRAM applications

Producción Científica

Bibliographic Details
Authors:	García García, Héctor, Bargalló González, Mireia, Mallol, M. M., Castán Lanaspa, María Helena, Dueñas Carazo, Salvador, Campabadal Segura, Francesca, Acero, M. C., Sambuco Salomone, L., Faigón, A.
Format:	article
Status:	Versión aceptada para publicación
Publication Date:	2018
Country:	España
Institution:	Universidad de Valladolid
Repository:	UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
OAI Identifier:	oai:uvadoc.uva.es:10324/45397
Online Access:	https://doi.org/10.1007/s11664-018-6257-y http://uvadoc.uva.es/handle/10324/45397
Access Level:	Open access
Keyword:	Hafnium oxide Óxido de hafnio Resistive memories Memorias resistivas

Description
Summary:	Producción Científica