Effective control of filament efficiency by means of spacer HfAlOx layers and growth temperature in HfO2 based ReRAM devices

Producción Científica

Detalles Bibliográficos
Autores:	Vinuesa Sanz, Guillermo, González Ossorio, Óscar, García García, Héctor, Sahelices Fernández, Benjamín, Castán Lanaspa, María Helena, Dueñas Carazo, Salvador, Kukli, Kaupo, Kull, M, Tarre, Aivar, Jõgiaas, Taivo, Tamm, Aile, Kasikov, Aarne
Tipo de recurso:	artículo
Estado:	Versión aceptada para publicación
Fecha de publicación:	2021
País:	España
Institución:	Universidad de Valladolid
Repositorio:	UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
OAI Identifier:	oai:uvadoc.uva.es:10324/48633
Acceso en línea:	https://doi.org/10.1016/j.sse.2021.108085 https://uvadoc.uva.es/handle/10324/48633
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	RRAM Hafnium oxide Aluminium oxide Hafnium-aluminum oxide 22 Física 33 Ciencias Tecnológicas

Descripción
Sumario:	Producción Científica