Performance Assessment of Amorphous HfO2-Based RRAM Devices for Neuromorphic Applications

Producción Científica

Detalhes bibliográficos
Autores:	González Ossorio, Óscar, Vinuesa Sanz, Guillermo, García García, Héctor, Sahelices Fernández, Benjamín, Dueñas Carazo, Salvador, Castán Lanaspa, María Helena, Pérez, Eduardo, Kalishettyhalli Mahadevaiah, Mamathamba, Wenger, Christian
Formato:	artículo
Estado:	Versión aceptada para publicación
Fecha de publicación:	2021
País:	España
Recursos:	Universidad de Valladolid
Repositorio:	UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
OAI Identifier:	oai:uvadoc.uva.es:10324/48600
Acesso em linha:	https://doi.org/10.1149/2162-8777/ac175c https://uvadoc.uva.es/handle/10324/48600
Access Level:	acceso abierto
Palavra-chave:	RRAM Hafnium oxide Óxido de hafnio Neuromorphic Applications Aplicaciones neuromórficas 22 Física 2210.05 Electroquímica 33 Ciencias Tecnológicas

Descrição
Resumo:	Producción Científica