Study of the admittance hysteresis cycles in TiN/Ti/HfO2/W-based RRAM devices

Producción Científica

Detalles Bibliográficos
Autores: Dueñas Carazo, Salvador, Castán Lanaspa, María Helena, García García, Héctor, Miranda, Enrique, González, M.B., Campabadal Segura, Francesca
Tipo de recurso: artículo
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2017
País:España
Institución:Universidad de Valladolid
Repositorio:UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
OAI Identifier:oai:uvadoc.uva.es:10324/65968
Acceso en línea:https://doi.org/10.1016/j.mee.2017.04.020
https://uvadoc.uva.es/handle/10324/65968
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:RRAM devices
Admittance cycles
Hafnium oxide
Atomic layer deposition
Descripción
Sumario:Producción Científica

Similares en LA Referencia