Modelado de transistores TEC GaAs no encapsulados por medio de un circuito eléctrico equivalente
La presente tesis está relacionada con la caracterización (estática y dinámica) y el modelado de transistores de efecto de campo en arseniuro de galio (TEC GaAs: MESFET y HEMT) por medio de un circuito eléctrico equivalente. La caracterización estática efectuada consiste en mediciones eléctricas en...
| Autor: | |
|---|---|
| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 1994 |
| País: | México |
| Institución: | Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada |
| Repositorio: | Repositorio Institucional CICESE |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/3513 |
| Acceso en línea: | http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/3513 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | info:eu-repo/classification/Autor/Arseniuro de galio, barrera Schottky info:eu-repo/classification/cti/1 info:eu-repo/classification/cti/22 info:eu-repo/classification/cti/2203 |
| id |
MX_bb2feece2d5302fc49250cd9aac5aee0 |
|---|---|
| oai_identifier_str |
oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/3513 |
| network_acronym_str |
MX |
| network_name_str |
México |
| repository_id_str |
|
| dc.title.none.fl_str_mv |
Modelado de transistores TEC GaAs no encapsulados por medio de un circuito eléctrico equivalente Modelado de transistores TEC GaAs no encapsulados por medio de un circuito eléctrico equivalente |
| title |
Modelado de transistores TEC GaAs no encapsulados por medio de un circuito eléctrico equivalente |
| spellingShingle |
Modelado de transistores TEC GaAs no encapsulados por medio de un circuito eléctrico equivalente Francisco Elias Rangel Patiño info:eu-repo/classification/Autor/Arseniuro de galio, barrera Schottky info:eu-repo/classification/cti/1 info:eu-repo/classification/cti/22 info:eu-repo/classification/cti/2203 info:eu-repo/classification/cti/2203 |
| title_short |
Modelado de transistores TEC GaAs no encapsulados por medio de un circuito eléctrico equivalente |
| title_full |
Modelado de transistores TEC GaAs no encapsulados por medio de un circuito eléctrico equivalente |
| title_fullStr |
Modelado de transistores TEC GaAs no encapsulados por medio de un circuito eléctrico equivalente |
| title_full_unstemmed |
Modelado de transistores TEC GaAs no encapsulados por medio de un circuito eléctrico equivalente |
| title_sort |
Modelado de transistores TEC GaAs no encapsulados por medio de un circuito eléctrico equivalente |
| dc.creator.none.fl_str_mv |
Francisco Elias Rangel Patiño |
| author |
Francisco Elias Rangel Patiño |
| author_facet |
Francisco Elias Rangel Patiño |
| author_role |
author |
| dc.contributor.none.fl_str_mv |
J. Apolinar Reynoso Hernández |
| dc.subject.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/classification/Autor/Arseniuro de galio, barrera Schottky info:eu-repo/classification/cti/1 info:eu-repo/classification/cti/22 info:eu-repo/classification/cti/2203 info:eu-repo/classification/cti/2203 |
| topic |
info:eu-repo/classification/Autor/Arseniuro de galio, barrera Schottky info:eu-repo/classification/cti/1 info:eu-repo/classification/cti/22 info:eu-repo/classification/cti/2203 info:eu-repo/classification/cti/2203 |
| description |
La presente tesis está relacionada con la caracterización (estática y dinámica) y el modelado de transistores de efecto de campo en arseniuro de galio (TEC GaAs: MESFET y HEMT) por medio de un circuito eléctrico equivalente. La caracterización estática efectuada consiste en mediciones eléctricas en régimen estático para las dos regiones de funcionamiento del transistor (región óhmica y región de saturación). Este conjunto de mediciones permite determinar los elementos resistivos, es decir, las resistencias de acceso. Para validar las técnicas de medición de las resistencias de acceso (RS, Rd y Rg,) fue necesario resolver las ecuaciones de transporte de corriente de la compuerta del TEC GaAs (barrera Schottky), permitiendo de esta manera determinar la porción de resistencia de canal que contribuye a las resistencias de acceso. Concerniente a la caracterización en régimen dinámico, ésta permite, mediante la medición de los parámetros de dispersión y la utilización de los modelos apropiados, extraer el valor de los elementos reactivos del TEC GaAs intrínseco y extrínseco. Los modelos abordados en este trabajo de tesis y referentes a la caracterización dinámica, están basados en una solución analítica de los parámetros de admitancia del dispositivo intrínseco y extrínseco y permiten la determinación directa de los elementos del circuito eléctrico equivalente. La validez del circuito eléctrico equivalente se verifica graficando en función de la frecuencia de medición, las partes reales e imaginarias de los parámetros de dispersión medidos y calculados a partir del circuito equivalente obtenido. La mayor aportación de este trabajo se sitúa entonces en la modelización y la caracterización estática y dinámica así como en los métodos de extracción del circuito eléctrico equivalente de los transistores TEC GaAs. |
| publishDate |
1994 |
| dc.date.none.fl_str_mv |
1994 |
| dc.type.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/masterThesis info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
| format |
masterThesis |
| status_str |
publishedVersion |
| dc.identifier.none.fl_str_mv |
http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/3513 |
| url |
http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/3513 |
| dc.language.none.fl_str_mv |
spa |
| language |
spa |
| dc.relation.none.fl_str_mv |
citation:Rangel Patiño, F. E. 1994.Modelado de transistores Tec Ga As no encapsulados por medio de un circuito eléctrico equivalente. Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California. 131 pp. |
| dc.rights.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess http://creativecommons.org/licenses/by/4.0 |
| eu_rights_str_mv |
openAccess |
| rights_invalid_str_mv |
http://creativecommons.org/licenses/by/4.0 |
| dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf |
| dc.publisher.none.fl_str_mv |
CICESE |
| publisher.none.fl_str_mv |
CICESE |
| dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:Repositorio Institucional CICESE instname:Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada instacron:CICESE |
| instname_str |
Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada |
| instacron_str |
CICESE |
| institution |
CICESE |
| reponame_str |
Repositorio Institucional CICESE |
| collection |
Repositorio Institucional CICESE |
| repository.name.fl_str_mv |
|
| repository.mail.fl_str_mv |
|
| _version_ |
1858176737491288064 |
| spelling |
Modelado de transistores TEC GaAs no encapsulados por medio de un circuito eléctrico equivalenteModelado de transistores TEC GaAs no encapsulados por medio de un circuito eléctrico equivalenteFrancisco Elias Rangel Patiñoinfo:eu-repo/classification/Autor/Arseniuro de galio, barrera Schottkyinfo:eu-repo/classification/cti/1info:eu-repo/classification/cti/22info:eu-repo/classification/cti/2203info:eu-repo/classification/cti/2203La presente tesis está relacionada con la caracterización (estática y dinámica) y el modelado de transistores de efecto de campo en arseniuro de galio (TEC GaAs: MESFET y HEMT) por medio de un circuito eléctrico equivalente. La caracterización estática efectuada consiste en mediciones eléctricas en régimen estático para las dos regiones de funcionamiento del transistor (región óhmica y región de saturación). Este conjunto de mediciones permite determinar los elementos resistivos, es decir, las resistencias de acceso. Para validar las técnicas de medición de las resistencias de acceso (RS, Rd y Rg,) fue necesario resolver las ecuaciones de transporte de corriente de la compuerta del TEC GaAs (barrera Schottky), permitiendo de esta manera determinar la porción de resistencia de canal que contribuye a las resistencias de acceso. Concerniente a la caracterización en régimen dinámico, ésta permite, mediante la medición de los parámetros de dispersión y la utilización de los modelos apropiados, extraer el valor de los elementos reactivos del TEC GaAs intrínseco y extrínseco. Los modelos abordados en este trabajo de tesis y referentes a la caracterización dinámica, están basados en una solución analítica de los parámetros de admitancia del dispositivo intrínseco y extrínseco y permiten la determinación directa de los elementos del circuito eléctrico equivalente. La validez del circuito eléctrico equivalente se verifica graficando en función de la frecuencia de medición, las partes reales e imaginarias de los parámetros de dispersión medidos y calculados a partir del circuito equivalente obtenido. La mayor aportación de este trabajo se sitúa entonces en la modelización y la caracterización estática y dinámica así como en los métodos de extracción del circuito eléctrico equivalente de los transistores TEC GaAs.The present dissertation deals with the characterization (static and dynamic) and modeling of gallium arsenide field effect transistors (GaAs FET: MESFET and HEMT) by means of an equivalent circuit. The static characterization was carried out using electrical measurements in static regime and in both operation regions of the transistor, ohmic and saturation regions. This set of measurements allows the computation of the resistive elements, i.e. the access resistances (RS, Rd y Rg). To validate the measurement techniques, the current transport equations had to be solved for the FET gate (Schottky barrier), and in this way the channel resistance portion that contributes to the access resistances, was determined. Concerning the dynamic characterization, it allows, using both scattering parameter measurements and suitable models the extraction of the reactive elements for both intrinsic and extrinsic GaAs FET's. The models used in the dynamic characterization are based on the analytic solution of the admittance parameters for both the intrinsic and extrinsic FET. The analytic solution leads to a direct computation of the equivalent circuit elements. The equivalent circuit is tested plotting, against the measurement frequency, the real and imaginary parts of both measured and calculated scattering parameters. The main contributions of this work concern modeling, characterization (static and dynamic) and extraction methods of the GaAs FET equivalent circuit.CICESEJ. Apolinar Reynoso Hernández1994info:eu-repo/semantics/masterThesisinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionapplication/pdfhttp://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/3513reponame:Repositorio Institucional CICESEinstname:Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenadainstacron:CICESEspacitation:Rangel Patiño, F. E. 1994.Modelado de transistores Tec Ga As no encapsulados por medio de un circuito eléctrico equivalente. Tesis de Maestría en Ciencias. Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Baja California. 131 pp.info:eu-repo/semantics/openAccesshttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/35132024-08-28T03:50:09Z |
| score |
14.964248 |