Obtención de los parámetros de ruido a partir del circuito eléctrico equivalente en pequeña señal de un transistor Tec GaAs.

La presente tesis está relacionada con la obtención de los parámetros de ruido de transistores de efecto de campo en arseniuro de galio (TEC GaAs) a partir del conocimiento del circuito eléctrico equivalente en pequeña señal y de la figura de ruido determinada a una impedancia fija (F50). Se propone...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: Susana Padilla Corral
Tipo de recurso: tesis de maestría
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2000
País:México
Institución:Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada
Repositorio:Repositorio Institucional CICESE
Idioma:español
OAI Identifier:oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/2134
Acceso en línea:http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/2134
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:info:eu-repo/classification/Autor/Sistemas de comunicaciones inalámbricas
info:eu-repo/classification/cti/7
info:eu-repo/classification/cti/33
info:eu-repo/classification/cti/3325
Descripción
Sumario:La presente tesis está relacionada con la obtención de los parámetros de ruido de transistores de efecto de campo en arseniuro de galio (TEC GaAs) a partir del conocimiento del circuito eléctrico equivalente en pequeña señal y de la figura de ruido determinada a una impedancia fija (F50). Se propone un método matemático para determinar los cuatro parámetros de ruido: figura de ruido mínima Fmin, coeficiente de reflexión de fuente óptima Γ opt (magnitud y fase) y resistencia de ruido Rn utilizando matrices de correlación. Este método propuesto consiste en calcular la matriz de correlación (CTA) en representación cadena del circuito eléctrico equivalente. La matriz CTA es divida en matriz de correlación extrínseca C EXT A e intrínseca CINTA en donde la primera es obtenida mediante el conocimiento de los elementos parásitos del circuito eléctrico (Rg, Rd, Rs, Lg, Ld, Ls, Cpg, Cpd) y la matriz CINTA es conocida por medio de los parámetros “S” intrínsecos o los valores de los elementos intrínsecos (Cgd Cgs Cds Ri, Rds, gm) y la figura de ruido determinada a una impedancia fija (F50). El principal interés del desarrollo de esta técnica surge de la necesidad de cubrir las desventajas que presenta la técnica de impedancias múltiples, además de reducir la complejidad en el procedimiento de medición de los parámetros de ruido.

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