Sensores ópticos de silicio con doble barrera con amplificación de señal
En esta tesis se presenta el diseño y estudio de un detector óptico formado por dos barreras de potencial en los lados opuestos de una oblea de silicio cristalino de alta resistividad. La primera barrera es formada por múltiples diodos Schottky (Ti-Si) rodeados por capacitores MOS (Ti-SiO2-Si). La s...
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| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión aceptada para publicación |
| Fecha de publicación: | 2007 |
| País: | México |
| Institución: | Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica |
| Repositorio: | Repositorio Institucional del INAOE |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:inaoe.repositorioinstitucional.mx:1009/658 |
| Acceso en línea: | http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/658 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | info:eu-repo/classification/Fotodetectores/Photodetectors info:eu-repo/classification/Barrera Schottky/Schottky barrier info:eu-repo/classification/Condensadores MOS/MOS capacitors info:eu-repo/classification/cti/1 info:eu-repo/classification/cti/22 info:eu-repo/classification/cti/2203 info:eu-repo/classification/cti/330793 |
| Sumario: | En esta tesis se presenta el diseño y estudio de un detector óptico formado por dos barreras de potencial en los lados opuestos de una oblea de silicio cristalino de alta resistividad. La primera barrera es formada por múltiples diodos Schottky (Ti-Si) rodeados por capacitores MOS (Ti-SiO2-Si). La segunda barrera de potencial es formada por una unión Low-High. La estructura presenta amplificación de ganancia en ambas polarizaciones de voltaje. Cuando se ilumina al detector que se encuentra polarizado con un voltaje negativo en el electrodo de titanio semitransparente se crean campos eléctricos altos en la periferia de los capacitores y el diodo Schottky los cuales afectan la altura efectiva de la barrera y producen un aumento en el flujo de electrones que van del metal hacia el semiconductor. Así, la ganancia de este detector está basado en aprovechar el efecto que se presenta en los bordes de los capacitor MOS y el Diodo Schottky. Cuando el detector se polariza positivamente, la ganancia en fotocorriente corresponde a la de una unión Low-High, que ya ha sido estudiada, y es usada en este trabajo para poder hacer una comparación entre los dos tipos de amplificación de fotocorriente. Además, el proceso de fabricación de este tipo de detector permite ser implementado en un proceso CMOS. |
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