Modelado de transistores TEC GaAs no encapsulados por medio de un circuito eléctrico equivalente
La presente tesis está relacionada con la caracterización (estática y dinámica) y el modelado de transistores de efecto de campo en arseniuro de galio (TEC GaAs: MESFET y HEMT) por medio de un circuito eléctrico equivalente. La caracterización estática efectuada consiste en mediciones eléctricas en...
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| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 1994 |
| País: | México |
| Institución: | Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada |
| Repositorio: | Repositorio Institucional CICESE |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/3513 |
| Acceso en línea: | http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/3513 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | info:eu-repo/classification/Autor/Arseniuro de galio, barrera Schottky info:eu-repo/classification/cti/1 info:eu-repo/classification/cti/22 info:eu-repo/classification/cti/2203 |
| Sumario: | La presente tesis está relacionada con la caracterización (estática y dinámica) y el modelado de transistores de efecto de campo en arseniuro de galio (TEC GaAs: MESFET y HEMT) por medio de un circuito eléctrico equivalente. La caracterización estática efectuada consiste en mediciones eléctricas en régimen estático para las dos regiones de funcionamiento del transistor (región óhmica y región de saturación). Este conjunto de mediciones permite determinar los elementos resistivos, es decir, las resistencias de acceso. Para validar las técnicas de medición de las resistencias de acceso (RS, Rd y Rg,) fue necesario resolver las ecuaciones de transporte de corriente de la compuerta del TEC GaAs (barrera Schottky), permitiendo de esta manera determinar la porción de resistencia de canal que contribuye a las resistencias de acceso. Concerniente a la caracterización en régimen dinámico, ésta permite, mediante la medición de los parámetros de dispersión y la utilización de los modelos apropiados, extraer el valor de los elementos reactivos del TEC GaAs intrínseco y extrínseco. Los modelos abordados en este trabajo de tesis y referentes a la caracterización dinámica, están basados en una solución analítica de los parámetros de admitancia del dispositivo intrínseco y extrínseco y permiten la determinación directa de los elementos del circuito eléctrico equivalente. La validez del circuito eléctrico equivalente se verifica graficando en función de la frecuencia de medición, las partes reales e imaginarias de los parámetros de dispersión medidos y calculados a partir del circuito equivalente obtenido. La mayor aportación de este trabajo se sitúa entonces en la modelización y la caracterización estática y dinámica así como en los métodos de extracción del circuito eléctrico equivalente de los transistores TEC GaAs. |
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