Fabricación y caracterización de transistores de pelicula delgada de a-SiGe:H
En años recientes los transistores de película delgada (TFTs) han sido utilizados como elementos de conmutación en pantallas de cristal líquido de matriz activa (AMLCD), ya que los materiales con que éstas se fabrican son depositados a temperaturas menores a 320 °C y en sustratos de áreas grandes [1...
| Autor: | |
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| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión aceptada para publicación |
| Fecha de publicación: | 2008 |
| País: | México |
| Institución: | Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica |
| Repositorio: | Repositorio Institucional del INAOE |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:inaoe.repositorioinstitucional.mx:1009/422 |
| Acceso en línea: | http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/422 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | info:eu-repo/classification/Transistores de película delgada/Thin film transistors info:eu-repo/classification/Semiconductores amorfos/Amorphous semiconductors info:eu-repo/classification/Barreras Schottky/Schottky barriers info:eu-repo/classification/cti/1 info:eu-repo/classification/cti/22 info:eu-repo/classification/cti/2203 info:eu-repo/classification/cti/330703 |
| Sumario: | En años recientes los transistores de película delgada (TFTs) han sido utilizados como elementos de conmutación en pantallas de cristal líquido de matriz activa (AMLCD), ya que los materiales con que éstas se fabrican son depositados a temperaturas menores a 320 °C y en sustratos de áreas grandes [1]. El silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) ha sido el material mas utilizado como capa activa de estos dispositivos, pero debido a sus bajos valores de movilidad de portadores, es que se han buscado otras alternativas, tales como el uso de silicio policristalino y otros materiales microcristalinos [2]. Sin embargo, el depósito de materiales microcristalinos se realiza a temperaturas mayores a 600 °C. Lo que aumenta el costo de los dispositivos fabricados pues se requiere el uso de substratos más caros. Investigaciones realizadas en el Laboratorio de Microelectrónica del INAOE muestran que la película de silicio germanio amorfo hidrogenado (a-SiGe:H), depositada a una frecuencia de 110 KHz y con una relación de concentraciones en fase gaseosa [GeH4/(SiH4+GeH4)] igual a 0.10, posee excelentes propiedades electrónicas, como son los valores de movilidad de electrones y huecos, de 60 y 10 cm2 V-1 s-1, respectivamente. Esto nos lleva a plantear la hipótesis de que se puede optimizar el funcionamiento de estos dispositivos y seguir utilizando sustratos económicos de vidrio y plástico, con el uso de esta película como capa activa de los TFTs. En este trabajo se describe el proceso de fabricación de los TFTs de a-SiGe:H. Así como la caracterización del dispositivo para determinar los parámetros de interés y las principales figuras de mérito. |
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