Nanoporous GaN by Chemical Vapor Deposition: crystal growth, characterization and applications

Detalles Bibliográficos
Autor: Bilousov, Oleksandr
Tipo de recurso: tesis doctoral
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2014
País:España
Institución:Universitat Rovira i virgili (URV)
Repositorio:Repositori Institucional de la Universitat Rovira i Virgili
OAI Identifier:oai:urv.cat:TDX:1409
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1409
http://hdl.handle.net/10803/283316
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:621.3
548
538.9
537
Graphene
porous GaN
Grafeno
GaN poroso
semiconductor
CVD
GaN porós
id ES_de2431904a9e669c5bb9c39ee0d1cc5d
oai_identifier_str oai:urv.cat:TDX:1409
network_acronym_str ES
network_name_str España
repository_id_str
spelling Nanoporous GaN by Chemical Vapor Deposition: crystal growth, characterization and applicationsBilousov, Oleksandr621.3548538.9537Grapheneporous GaNGrafenoGaN porososemiconductorCVDGaN porósUniversitat Rovira i Virgili Departament de Química Física i InorgànicaUniversitat Rovira i Virgili.2014info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesis314 p.application/pdfhttps://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1409http://hdl.handle.net/10803/283316TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)T 1557-2014reponame:Repositori Institucional de la Universitat Rovira i Virgiliinstname:Universitat Rovira i virgili (URV)Inglésinfo:eu-repo/semantics/openAccessADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà  indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al repositori institucional de la Universitat Rovira i Virgili. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a aquest repositori (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.oai:urv.cat:TDX:14092026-06-23T12:42:27Z
dc.title.none.fl_str_mv Nanoporous GaN by Chemical Vapor Deposition: crystal growth, characterization and applications
title Nanoporous GaN by Chemical Vapor Deposition: crystal growth, characterization and applications
spellingShingle Nanoporous GaN by Chemical Vapor Deposition: crystal growth, characterization and applications
Bilousov, Oleksandr
621.3
548
538.9
537
Graphene
porous GaN
Grafeno
GaN poroso
semiconductor
CVD
GaN porós
title_short Nanoporous GaN by Chemical Vapor Deposition: crystal growth, characterization and applications
title_full Nanoporous GaN by Chemical Vapor Deposition: crystal growth, characterization and applications
title_fullStr Nanoporous GaN by Chemical Vapor Deposition: crystal growth, characterization and applications
title_full_unstemmed Nanoporous GaN by Chemical Vapor Deposition: crystal growth, characterization and applications
title_sort Nanoporous GaN by Chemical Vapor Deposition: crystal growth, characterization and applications
dc.creator.none.fl_str_mv Bilousov, Oleksandr
author Bilousov, Oleksandr
author_facet Bilousov, Oleksandr
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Departament de Química Física i Inorgànica
Universitat Rovira i Virgili.
dc.subject.none.fl_str_mv 621.3
548
538.9
537
Graphene
porous GaN
Grafeno
GaN poroso
semiconductor
CVD
GaN porós
topic 621.3
548
538.9
537
Graphene
porous GaN
Grafeno
GaN poroso
semiconductor
CVD
GaN porós
publishDate 2014
dc.date.none.fl_str_mv 2014
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1409
http://hdl.handle.net/10803/283316
url https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1409
http://hdl.handle.net/10803/283316
dc.language.none.fl_str_mv Inglés
language_invalid_str_mv Inglés
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv 314 p.
application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Universitat Rovira i Virgili
publisher.none.fl_str_mv Universitat Rovira i Virgili
dc.source.none.fl_str_mv TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
T 1557-2014
reponame:Repositori Institucional de la Universitat Rovira i Virgili
instname:Universitat Rovira i virgili (URV)
instname_str Universitat Rovira i virgili (URV)
reponame_str Repositori Institucional de la Universitat Rovira i Virgili
collection Repositori Institucional de la Universitat Rovira i Virgili
repository.name.fl_str_mv
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1869421947113177088
score 15,300719

Similares en LA Referencia