Porous GaN produced by CVD: progress in development and characterization
| Autor: | |
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2017 |
| País: | España |
| Institución: | Universitat Rovira i virgili (URV) |
| Repositorio: | Repositori Institucional de la Universitat Rovira i Virgili |
| OAI Identifier: | oai:urv.cat:TDX:2661 |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX2661 http://hdl.handle.net/10803/457707 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | 546 544 538.9 535 Ciències chemical vapor deposition porous GaN GaN poroso deposició química de vapor semiconductor GaN porós |
| Descripción no disponible. |