Porous GaN produced by CVD: progress in development and characterization
El nitrur de gal·li (GaN) és un semiconductor amb una banda prohibida ampla amb aplicacions importants en els LED de la llum blanca, que són una alternativa atractiva a les fonts de llum convencionals a causa de la seva llarga vida útil, robustesa física, unitats de mida petita i un mínim impacte am...
| Autor: | |
|---|---|
| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2017 |
| País: | España |
| Institución: | CBUC, CESCA |
| Repositorio: | TDR. Tesis Doctorales en Red |
| OAI Identifier: | oai:www.tdx.cat:10803/457707 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/10803/457707 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | GaN porós semiconductor deposició química de vapor GaN poroso porous GaN chemical vapor deposition Ciències 535 538.9 544 546 |
| Sumario: | El nitrur de gal·li (GaN) és un semiconductor amb una banda prohibida ampla amb aplicacions importants en els LED de la llum blanca, que són una alternativa atractiva a les fonts de llum convencionals a causa de la seva llarga vida útil, robustesa física, unitats de mida petita i un mínim impacte ambiental. El GaN, en la seva forma porosa, s'espera que millori l'extracció de llum d'aquests LEDs. En els últims anys el GaN ha atret també l'atenció del món dels sensors, i molts prototips s'han fabricat utilitzant dispositius HEMT. S'espera que els sensors basats en GaN porós ampliïn la superfície de contacte contra la que l'analit pot interactuar, augmentant la sensibilitat dels dispositius. A més, la realització d'aquests sensors específics per a un analit concret es pot aconseguir funcionalizant la superfície del dispositiu. L'objectiu principal d'aquesta tesi és optimitzar les condicions de creixement per a la fabricació de GaN porós, així com el creixement de InGaN porós, i GaN porós dopat amb Mg i Si per poder fabricar dispositius basats en la unió p-n. En aquesta tesi s'ha abordat també l'estudi de la funcionalització química amb silans i sals de diazoni de la superfície del GaN per tal de fabricar sensors més eficients i selectius. Les partícules i les capes epitaxials nanoporoses de GaN es van sintetitzar en un sol pas mitjançant deposició química en fase vapor (CVD de les seves sigles en anglès) a través de la reacció directa entre el gal·li i l'amoníac. Per al dopat de les partícules i capes poroses, es van triar l’acetilacetonat de magnesi i l’acetat de silici com a precursors de Mg i Si, respectivament, per generar els semiconductors de tipus p i n, respectivament. Els resultats obtinguts mostren avenços prometedors per a la fabricació de dispositius porosos basats en les unions p-n i la funcionalització de superfícies de GaN per a aplicacions de detecció. |
|---|