Optical and structural characterisation of epitaxial nanoporous GaN grown by CVD

Producción Científica

Detalhes bibliográficos
Autores: Mena, Josué, Carvajal, Joan Josep, Martínez Sacristán, Óscar, Jiménez López, Juan Ignacio, Zubialevich, V., Parbrook, Peter, Díaz, Francesc, Aguiló, Magdalena
Formato: artículo
Fecha de publicación:2017
País:España
Recursos:Universidad de Valladolid
Repositorio:UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
OAI Identifier:oai:uvadoc.uva.es:10324/35094
Acesso em linha:https://doi.org/10.1088/1361-6528/aa7e9d
http://uvadoc.uva.es/handle/10324/35094
Access Level:acceso abierto
Palavra-chave:Materiales porosos
porous materials
Nitruro de galio nanoporoso (GaN)
Nanoporous gallium nitride (GaN) epitaxial layers
Descrição
Resumo:Producción Científica

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