Nanoporous GaN by Chemical Vapor Deposition: crystal growth, characterization and applications
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2014 |
| País: | España |
| Institución: | Universitat Rovira i virgili (URV) |
| Repositorio: | Repositori Institucional de la Universitat Rovira i Virgili |
| OAI Identifier: | oai:urv.cat:TDX:1409 |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1409 http://hdl.handle.net/10803/283316 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | 621.3 548 538.9 537 Graphene porous GaN Grafeno GaN poroso semiconductor CVD GaN porós |
| Descripción no disponible. |