In situ control of As dimer orientation on Ge(100) surfaces

Detalles Bibliográficos
Autores: Brückner, Sebastian, Supplie, Oliver, Barrigón Montañés, Enrique, Luczak, Johannes, Kleinschmidt, Peter, Rey-Stolle Prado, Ignacio|||0000-0002-4919-5609, Döscher, Henning, Hannappel, Thomas
Tipo de recurso: artículo
Fecha de publicación:2012
País:España
Institución:Universidad Politécnica de Madrid
Repositorio:Archivo Digital UPM
OAI Identifier:oai:oa.upm.es:16227
Acceso en línea:https://oa.upm.es/16227/
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:annealing
arsenic
elemental semiconductors
germanium
low energy electron diffraction
MOCVD
reflectivity
scanning tunnelling microscopy
semiconductor epitaxial layers
semiconductor growth
X-ray photoelectron spectra
Descripción
Descripción no disponible.

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