Growth of InP on GaAs (001) by hydrogen-assisted low-temperature solid-source molecular beam epitaxy

5 pages, 4 figures.-- PACS nrs.: 68.55.Ag; 81.15.Hi.

Detalles Bibliográficos
Autores:	Postigo, Pablo Aitor, Suárez Arias, Ferrán, Sanz-Hervás, A., Sangrador, J., Fonstad, C. G.
Tipo de recurso:	artículo
Fecha de publicación:	2008
País:	España
Institución:	Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
Repositorio:	DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
OAI Identifier:	oai:digital.csic.es:10261/11723
Acceso en línea:	http://hdl.handle.net/10261/11723
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Gallium arsenide III-V semiconductors Indium compounds Luminescence Molecular beam epitaxial growth Rapid thermal annealing Reflection high energy electron diffraction Semiconductor epitaxial layers Semiconductor growth X-ray diffraction

Descripción
Sumario:	5 pages, 4 figures.-- PACS nrs.: 68.55.Ag; 81.15.Hi.