Fracción de Volumen Cristalina en Muestras de µc-Si Dopadas con Boro Obtenida Mediante Espectroscopia Raman
En este trabajo, se depositaron muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro (μc-Si:H (B)) a partir del método de deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD), usando silano (SiH4) diluido en hidrógeno, y diborano (B2H6) como gas dopante. La concentración de diborano se va...
| Autores: | , |
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2009 |
| País: | Argentina |
| Institución: | Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
| Repositorio: | CONICET Digital (CONICET) |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:ri.conicet.gov.ar:11336/17105 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/11336/17105 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Semiconductores Raman Películas Delgadas Silicio Microcristalino https://purl.org/becyt/ford/1.3 https://purl.org/becyt/ford/1 |
| Sumario: | En este trabajo, se depositaron muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro (μc-Si:H (B)) a partir del método de deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD), usando silano (SiH4) diluido en hidrógeno, y diborano (B2H6) como gas dopante. La concentración de diborano se varió en el rango entre 0 y 100 ppm. Se realizó un estudio de las propiedades estructurales a partir de la técnica de espectroscopia Raman. Los espectros Raman revelaron un aumento en la fracción de volumen cristalina (Xc) de las muestras a medida que la concentración de Boro aumentaba desde 0 a 75 ppm. Por encima de 75 ppm se encontró que la Xc decrece nuevamente indicando una amorfización en el material. |
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