Silicio amorfo hidrogenado como material de base para la obtención de láminas delgadas de silicio policristalino

En este trabajo se estudia la evolución de las propiedades estructurales y de transporte eléctrico de películas delgadas de silicio amorfo hidrogenado, sometidas a distintos tratamientos térmicos. Las muestras fueron preparadas por PECVD a diferentes temperaturas y a altas velocidades de deposición....

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores: Budini, Nicolas, Schmidt, Javier Alejandro, Arce, Roberto Delio, Buitrago, Roman Horacio
Tipo de recurso: artículo
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2007
País:Argentina
Institución:Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
Repositorio:CONICET Digital (CONICET)
Idioma:español
OAI Identifier:oai:ri.conicet.gov.ar:11336/25948
Acceso en línea:http://hdl.handle.net/11336/25948
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:SILICIO AMORFO HIDROGENADO
PELÍCULAS DELGADAS
SILICIO POLICRISTALINO
TRATAMIENTOS TÉRMICOS
https://purl.org/becyt/ford/1.3
https://purl.org/becyt/ford/1
Descripción
Sumario:En este trabajo se estudia la evolución de las propiedades estructurales y de transporte eléctrico de películas delgadas de silicio amorfo hidrogenado, sometidas a distintos tratamientos térmicos. Las muestras fueron preparadas por PECVD a diferentes temperaturas y a altas velocidades de deposición. Los procesos térmicos post-deposición, realizados para analizar el cambio de fase amorfa-cristalina, la nucleación y el crecimiento de granos, se orientaron a determinar las mejores condiciones para obtener películas delgadas de silicio policristalino con el mayor tamaño de grano posible. El proceso de cristalización del silicio amorfo hidrogenado, mediante tratamientos térmicos escalonados y secuenciados, dio como resultado un material nanocristalino.