Propiedades estructurales y morfológicas de películas delgadas de uc-Si:H
Una serie de películas delgadas de silicio microcristalino dopadas con Boro (µc-Si:H (B)) fueron depositadas por el método de deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD). Las muestras fueron dopas con Boro. La microestructura y morfología de las muestras fue analizada por microsc...
| Autores: | , |
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2007 |
| País: | Argentina |
| Institución: | Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
| Repositorio: | CONICET Digital (CONICET) |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:ri.conicet.gov.ar:11336/22655 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/11336/22655 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Silicio Microcristalino Película Delgada https://purl.org/becyt/ford/1.3 https://purl.org/becyt/ford/1 |
| Sumario: | Una serie de películas delgadas de silicio microcristalino dopadas con Boro (µc-Si:H (B)) fueron depositadas por el método de deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD). Las muestras fueron dopas con Boro. La microestructura y morfología de las muestras fue analizada por microscopía de fuerza atómica (AFM), difracción de rayos X y espectroscopía Raman. Se observó un incremento tanto en la fracción de volumen cristalina como en el tamaño de grano a medida que se incrementó la concentración de Boro en las muestras. Las películas de silicio microcristalino dopadas con Boro presentaron una orientación cristalográfica preferencial en el plano (220). |
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