Espectroscopia de fotocorriente aplicado a celdas solares de película delgada elaboradas en base a Silicio amorfo hidrogenado (A - Si:H)
En este trabajo reportamos mediciones de la respuesta óptica de silicio amorfo (a-Si:H), bajo el umbral del Gap óptico, empleando el método de espectroscopia de fotocorriente, Las películas de a-Si:H fueron elaborados por medio de un sistema plasmático DC no convencional. Las medidas sugieren que la...
| Autores: | , |
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Fecha de publicación: | 2005 |
| País: | Perú |
| Institución: | Universidad Nacional de Ingeniería |
| Repositorio: | UNI-Tesis |
| Idioma: | inglés |
| OAI Identifier: | oai:cybertesis.uni.edu.pe:20.500.14076/14090 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/20.500.14076/14090 https://doi.org/10.21754/tecnia.v15i2.419 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Películas delgadas Silicio amorfo Celdas solares |
| Sumario: | En este trabajo reportamos mediciones de la respuesta óptica de silicio amorfo (a-Si:H), bajo el umbral del Gap óptico, empleando el método de espectroscopia de fotocorriente, Las películas de a-Si:H fueron elaborados por medio de un sistema plasmático DC no convencional. Las medidas sugieren que la densidad de estados de este material no es muy diferente del silicio amorfo convencional. Se determinan las posiciones de las correspondientes transiciones electrónicas fotovoltaicas, existiendo una buena correspondencia con niveles internos conocidos del material. |
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