Optimización del modelo en pequeña señal del transistor bipolar de heterounión de SiGe para altas frecuencias y ruido

El rápido crecimiento de las tecnologías semiconductoras aplicadas a diferentes ramas de la ciencia ha propiciado que el diseño asistido por computadora de tecnologías (CAD, por sus siglas en inglés) se convierta en una parte fundamental del proceso de desarrollo de las mismas. En este trabajo se pr...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores: Aníbal U. Pacheco-Sánchez, M. César Enciso-Barrón, Luis M. Rodríguez-Mendez, Mauro A. Enciso-Aguilar
Tipo de recurso: artículo
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2010
País:México
Institución:Instituto Politécnico Nacional
Repositorio:Redalyc-IPN
OAI Identifier:oai:redalyc.org:61415697002
Acceso en línea:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=61415697002
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