Optimización del modelo en pequeña señal del transistor bipolar de heterounión de SiGe para altas frecuencias y ruido
El rápido crecimiento de las tecnologías semiconductoras aplicadas a diferentes ramas de la ciencia ha propiciado que el diseño asistido por computadora de tecnologías (CAD, por sus siglas en inglés) se convierta en una parte fundamental del proceso de desarrollo de las mismas. En este trabajo se pr...
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2010 |
| País: | México |
| Institución: | Instituto Politécnico Nacional |
| Repositorio: | Redalyc-IPN |
| OAI Identifier: | oai:redalyc.org:61415697002 |
| Acceso en línea: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=61415697002 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Ingeniería CAD SiGe parámetros de dispersión figuras de mérito de ruido transistor bipolar de heterounión |
| Sumario: | El rápido crecimiento de las tecnologías semiconductoras aplicadas a diferentes ramas de la ciencia ha propiciado que el diseño asistido por computadora de tecnologías (CAD, por sus siglas en inglés) se convierta en una parte fundamental del proceso de desarrollo de las mismas. En este trabajo se presenta el modelado de un transistor bipolar de heterounión de SiGe utilizando el enfoque de circuito eléctrico y el ajuste del mismo para las curvas de los parámetros de dispersión,comparándolas con resultados medidos en laboratorio. Así mismo, se presenta un estudio sobre el ruido del dispositivo |
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