Capas de SiGe policristalino hidrogenado y su aplicación en transistores de película delgada
En este trabajo se ha caracterizado el proceso de hidrogenación en un plasma generado por resonancia ciclotrónica de electrones de capas de SiGe policristalino obtenidas mediante cristalización en fase sólida y el efecto de la hidrogenación en las características eléctricas de transistores de pelícu...
| Autores: | , |
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Fecha de publicación: | 2004 |
| País: | España |
| Institución: | Universidad Complutense de Madrid (UCM) |
| Repositorio: | Docta Complutense |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:docta.ucm.es:20.500.14352/51123 |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.14352/51123 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | 537 SiGe Policristalino Hidrogenación Plasma ECR Transistor de Película Delgada Degradación. Amorphous-Silicon. Germanium. Electricidad Electrónica (Física) 2202.03 Electricidad |
| Sumario: | En este trabajo se ha caracterizado el proceso de hidrogenación en un plasma generado por resonancia ciclotrónica de electrones de capas de SiGe policristalino obtenidas mediante cristalización en fase sólida y el efecto de la hidrogenación en las características eléctricas de transistores de película delgada fabricados usando dicho material. Los procesos de hidrogenación se realizaron a 150 y 250 ºC, con duraciones de hasta 11 horas. Los espectros de transmitancia en infrarrojo muestran solamente las bandas de absorción características de los enlaces Si-H. Estas bandas indican que el hidrógeno se incorpora al material enlazándose principalmente con los átomos de silicio. Las medidas de reflectancia en el ultravioleta indican que se crea daño en la superficie de la muestra y que éste aumenta a medida que lo hace el contenido en Ge. Los transistores de película delgada con capa activa de SiGe policristalino muestran un fenómeno de degradación consistente en que la corriente que atraviesa el canal disminuye con el tiempo manteniendo fijas las condiciones de polarización. La hidrogenación de los transistores hace que la degradación sea cada vez más lenta a medida que aumenta el tiempo de proceso en plasma a temperatura constante. |
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