Characterization of AlxGa1_xAs layers grown on (100) GaAs by Inetallic-arsenic-based-MOCVD
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| Autor: | |
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2012 |
| País: | México |
| Institución: | Instituto Politécnico Nacional |
| Repositorio: | Repositorio Digital del IPN |
| OAI Identifier: | oai:www.repositoriodigital.ipn.mx:123456789/8592 |
| Acceso en línea: | http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/8592 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | MOCVD Ha ll Effect SIMS Raman scactering 111-V semiconductor growth GaAs |
| Sumario: | article |
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