Plasma diagnostics and device properties of AlGaN/GaN HEMT passivated with SiN deposited by plasma-enhanced chemical vapour deposition
8 pages, 10 figures.-- PACS: 52.70.-m; 81.65.Rv; 81.15.Gh; 52.77.Dq; 52.75.-d, 85.30.Tv
| Autores: | , , , , |
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Fecha de publicación: | 2010 |
| País: | España |
| Institución: | Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) |
| Repositorio: | DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC |
| OAI Identifier: | oai:digital.csic.es:10261/30614 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/10261/30614 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Electronics and devices Semiconductors Instrumentation and measurement Surfaces, interfaces and thin films Plasma physics |
| Sumario: | 8 pages, 10 figures.-- PACS: 52.70.-m; 81.65.Rv; 81.15.Gh; 52.77.Dq; 52.75.-d, 85.30.Tv |
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