Impact of gate tunnelling leakage on CMOS circuits with full open defects

Electronics Letter of the Month

Detalles Bibliográficos
Autores:	Rodríguez Montañés, Rosa\|\|\|0000-0001-6231-0862, Arumi Delgado, Daniel\|\|\|0000-0002-6638-7485, Figueras Pàmies, Joan, Eichenberger, S., Hora, Camelia, Kruseman, B.
Tipo de recurso:	artículo
Fecha de publicación:	2007
País:	España
Institución:	Universitat Politècnica de Catalunya (UPC)
Repositorio:	UPCommons. Portal del coneixement obert de la UPC
Idioma:	inglés
OAI Identifier:	oai:upcommons.upc.edu:2117/20118
Acceso en línea:	https://hdl.handle.net/2117/20118 https://dx.doi.org/10.1049/el:20072117
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Metal oxide semiconductors, Complementary CMOS integrated circuits Circuits integrats -- CMOS -- Disseny i construcció Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Microelectrònica::Circuits integrats

Descripción
Sumario:	Electronics Letter of the Month