Controlling the intermediate conductance states in RRAM devices for synaptic applications

Producción Científica

Detalles Bibliográficos
Autores: García García, Héctor, González Ossorio, Óscar, Dueñas Carazo, Salvador, Castán Lanaspa, María Helena
Tipo de recurso: artículo
Estado:Versión aceptada para publicación
Fecha de publicación:2019
País:España
Institución:Universidad de Valladolid
Repositorio:UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
OAI Identifier:oai:uvadoc.uva.es:10324/45394
Acceso en línea:https://doi.org/10.1016/j.mee.2019.110984
http://uvadoc.uva.es/handle/10324/45394
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:Resistive memories
Memorias resistivas
Synaptic devices
Dispositivos sinápticos
3307.90 Microelectrónica
Descripción
Sumario:Producción Científica