Effects of the voltage ramp rate on the conduction characteristics of HfO2-based resistive switching devices

Producción Científica

Detalles Bibliográficos
Autores:	Aguirre, F L, González, M B, Jiménez-Molinos, Francisco, Campabadal Segura, Francesca, Roldán, J B, Miranda, Enrique, Castán Lanaspa, María Helena, Dueñas Carazo, Salvador, García García, Héctor, García-Ochoa, E., Vinuesa Sanz, Guillermo
Tipo de recurso:	artículo
Estado:	Versión publicada
Fecha de publicación:	2023
País:	España
Institución:	Universidad de Valladolid
Repositorio:	UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
OAI Identifier:	oai:uvadoc.uva.es:10324/73799
Acceso en línea:	https://doi.org/10.1088/1361-6463/acdae0 https://uvadoc.uva.es/handle/10324/73799
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Resistive switching Electrical characterization Memristor Memdiode model 2203 Electrónica 3307.90 Microelectrónica

Descripción
Sumario:	Producción Científica