Far-infrared transmission in GaN,AlN and AlGaN thin films grown by molecular beam epitaxy

Detalles Bibliográficos
Autores: Ibáñez Insa, Jordi, Domènech Hernández, Sònia, Alarcón-Lladó, Esther, Cuscó Cornet, Ramón, Artús Surroca, Lluis, Novikov, S.V., Foxon, C.T., Calleja Pardo, Enrique|||0000-0002-3686-8982
Tipo de recurso: artículo
Fecha de publicación:2008
País:España
Institución:Universidad Politécnica de Madrid
Repositorio:Archivo Digital UPM
OAI Identifier:oai:oa.upm.es:2747
Acceso en línea:https://oa.upm.es/2747/
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:GaN
AlN
AlGaN
molecular beam epitaxy
Descripción
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