Far-infrared transmission in GaN,AlN and AlGaN thin films grown by molecular beam epitaxy
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|---|---|
| Tipo de recurso: | artículo |
| Fecha de publicación: | 2008 |
| País: | España |
| Institución: | Universidad Politécnica de Madrid |
| Repositorio: | Archivo Digital UPM |
| OAI Identifier: | oai:oa.upm.es:2747 |
| Acceso en línea: | https://oa.upm.es/2747/ |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | GaN AlN AlGaN molecular beam epitaxy |
| Descripción no disponible. |