Estudio estadístico de fluctuaciones en transistores MOSFET multipuerta ultraescalados

En esta tesis se abordan dos desafíos clave en el diseño de transistores para futuros nodos tecnológicos. El primero identificar la arquitectura basada en silicio más prometedora para reemplazar a los FinFETs, analizando el impacto de diferentes fuentes de variabilidad. Los resultados demuestran que...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: García Fernández, Julián
Tipo de recurso: tesis doctoral
Fecha de publicación:2023
País:España
Institución:Universidad de Santiago de Compostela (USC)
Repositorio:Minerva. Repositorio Institucional de la Universidad de Santiago de Compostela
Idioma:español
OAI Identifier:oai:minerva.usc.gal:10347/32490
Acceso en línea:http://hdl.handle.net/10347/32490
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:330714 Dispositivos semiconductores
330719 Transistores
120326 Simulación
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