Estudio estadístico de fluctuaciones en transistores MOSFET multipuerta ultraescalados
En esta tesis se abordan dos desafíos clave en el diseño de transistores para futuros nodos tecnológicos. El primero identificar la arquitectura basada en silicio más prometedora para reemplazar a los FinFETs, analizando el impacto de diferentes fuentes de variabilidad. Los resultados demuestran que...
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Fecha de publicación: | 2023 |
| País: | España |
| Institución: | Universidad de Santiago de Compostela (USC) |
| Repositorio: | Minerva. Repositorio Institucional de la Universidad de Santiago de Compostela |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:minerva.usc.gal:10347/32490 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/10347/32490 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | 330714 Dispositivos semiconductores 330719 Transistores 120326 Simulación |
| Sumario: | En esta tesis se abordan dos desafíos clave en el diseño de transistores para futuros nodos tecnológicos. El primero identificar la arquitectura basada en silicio más prometedora para reemplazar a los FinFETs, analizando el impacto de diferentes fuentes de variabilidad. Los resultados demuestran que el nanosheet FET exhibe una notable resistencia al impacto de las variabilidades estudiadas, posicionándolo como una alternativa adecuada para sustituir al FinFET. El segundo es reducir al máximo la demanda de recursos computacionales, manteniendo una elevada precisión en los resultados, para ello se desarrollaron modelos empíricos. Estos modelos presentan errores relativos inferiores al 10% reduciendo de manera sustancial el tiempo de computación necesario para la realización de estos estudios y su impacto ambiental. |
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