Estudo por espalhamento Raman dos efeitos de desordem química e estrutural no espectro de fônos do InSb indentado
Financiadora de Estudos e Projetos
| Autor: | |
|---|---|
| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2004 |
| País: | Brasil |
| Institución: | Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR) |
| Repositorio: | Repositório Institucional da UFSCAR |
| Idioma: | portugués |
| OAI Identifier: | oai:repositorio.ufscar.br:20.500.14289/5049 |
| Acceso en línea: | https://repositorio.ufscar.br/handle/20.500.14289/5049 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Matéria - propriedades Raman, Espalhamento de Indentado InSb Semicondutores CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA |
| Sumario: | Financiadora de Estudos e Projetos |
|---|