Silicio amorfo hidrogenado como material de base para la obtención de láminas delgadas de silicio policristalino
En este trabajo se estudia la evolución de las propiedades estructurales y de transporte eléctrico de películas delgadas de silicio amorfo hidrogenado, sometidas a distintos tratamientos térmicos. Las muestras fueron preparadas por PECVD a diferentes temperaturas y a altas velocidades de deposición....
| Authors: | , , , |
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| Format: | article |
| Status: | Published version |
| Publication Date: | 2007 |
| Country: | Argentina |
| Institution: | Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
| Repository: | CONICET Digital (CONICET) |
| Language: | Spanish |
| OAI Identifier: | oai:ri.conicet.gov.ar:11336/25948 |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/11336/25948 |
| Access Level: | Open access |
| Keyword: | SILICIO AMORFO HIDROGENADO PELÍCULAS DELGADAS SILICIO POLICRISTALINO TRATAMIENTOS TÉRMICOS https://purl.org/becyt/ford/1.3 https://purl.org/becyt/ford/1 |
| Summary: | En este trabajo se estudia la evolución de las propiedades estructurales y de transporte eléctrico de películas delgadas de silicio amorfo hidrogenado, sometidas a distintos tratamientos térmicos. Las muestras fueron preparadas por PECVD a diferentes temperaturas y a altas velocidades de deposición. Los procesos térmicos post-deposición, realizados para analizar el cambio de fase amorfa-cristalina, la nucleación y el crecimiento de granos, se orientaron a determinar las mejores condiciones para obtener películas delgadas de silicio policristalino con el mayor tamaño de grano posible. El proceso de cristalización del silicio amorfo hidrogenado, mediante tratamientos térmicos escalonados y secuenciados, dio como resultado un material nanocristalino. |
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