Numerical modeling of radiation-induced charge loss in CMOS floating gate cells
Mediante un modelo numérico desarrollado recientemente y basado en principios físicos, se estudia la respuesta a la radiación de celdas de compuerta flotante programadas/borradas. El rol que juega la captura de carga en los óxidos en el desplazamiento total de la tensión umbral con la dosis es debid...
| Autores: | , , , |
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2021 |
| País: | Argentina |
| Institución: | Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas |
| Repositorio: | CONICET Digital (CONICET) |
| Idioma: | inglés |
| OAI Identifier: | oai:ri.conicet.gov.ar:11336/167605 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/11336/167605 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | RADIATION EFFECTS FLOATING GATE CELLS NUMERICAL MODELING https://purl.org/becyt/ford/2.2 https://purl.org/becyt/ford/2 |
| Sumario: | Mediante un modelo numérico desarrollado recientemente y basado en principios físicos, se estudia la respuesta a la radiación de celdas de compuerta flotante programadas/borradas. El rol que juega la captura de carga en los óxidos en el desplazamiento total de la tensión umbral con la dosis es debidamente evaluado a través de la variación de la tasa de captura de los huecos generados por radiación. Se considera un modelo analítico simplificado y se discuten sus limitaciones. |
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