Caracterizacion por microscopia electronica de barrido de heteroestructuras de GaAs-Ge/GaAs de baja dimensionalidad

En este trabajo se hace un análisis de caracterización por microscopia electrónica de barrido, espectroscopia de energia dispersiva y espectroscopia de electrones Auger de heteroestructuras formadas en su mayoría por 15 capas de GaAs y 15 capas de Ge. alternadas, terminando el crecimiento con una ca...

ver descrição completa

Detalhes bibliográficos
Autor: Galeazzi Isasmendi, Reina Galeazzi
Formato: tesis de maestría
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2002
País:México
Recursos:Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Repositorio:Repositorio Institucional de Acceso Abierto RIAA-BUAP
Idioma:español
OAI Identifier:oai:repositorioinstitucional.buap.mx:20.500.12371/25000
Acesso em linha:https://hdl.handle.net/20.500.12371/25000
Access Level:acceso abierto
Palavra-chave:Microbiología--Técnica--Técnica de microscopio--Microscopía electrónica--Heteroestructuras
Física--Óptica--Instrumentos y aparatos ópticos--Binoculares
Historia natural--Microscopía--Microscopios
Caracterización por microscopia electrónica
id MX_f56c90dbe2f747052b16f511b39f82fa
oai_identifier_str oai:repositorioinstitucional.buap.mx:20.500.12371/25000
network_acronym_str MX
network_name_str México
repository_id_str
spelling Caracterizacion por microscopia electronica de barrido de heteroestructuras de GaAs-Ge/GaAs de baja dimensionalidadGaleazzi Isasmendi, Reina GaleazziMicrobiología--Técnica--Técnica de microscopio--Microscopía electrónica--HeteroestructurasFísica--Óptica--Instrumentos y aparatos ópticos--BinocularesHistoria natural--Microscopía--MicroscopiosCaracterización por microscopia electrónicaEn este trabajo se hace un análisis de caracterización por microscopia electrónica de barrido, espectroscopia de energia dispersiva y espectroscopia de electrones Auger de heteroestructuras formadas en su mayoría por 15 capas de GaAs y 15 capas de Ge. alternadas, terminando el crecimiento con una capa de GaAs, las cuales fueron crecidas por la técnica de erosión catódica tipo magnetron. El primer objetivo planteado para la caracterización de estas heteroestructuras fue la medición de los espesores de cada una de las capas que forman las heteroestructuras. Para realizar esta medición fue necesario grabar selectivamente las capas de GaAs para definirlas y asi poder hacer la medición. Esto se hizo mediante el uso de una solución compuesta de NH4OH:H₂O:H₂O en proporción 1:5:25. Al realizar el ataque quimico se determinó la velocidad de grabado del GaAs como 2.5 µm/min, lo que nos permite de acuerdo al espesor nominal reportado para las capas de GaAs aplicar un tiempo óptimo para decaparlas. El decapado nos permitió por un lado medir los espesores de las capas y por el otro hacer un estudio comparativo de la morfologia superficial de las capas de Ge. De este análisis se obtuvo, que conforme aumenta el espesor de las capas de Ge y disminuye el de las capas de GaAs la definición de las capas que forman la heteroestructura mejora, y la morfologia superficial se torna más suave. Para complementar el estudio de las heteroestructuras se realizó el análisis de las mismas mediante la caracterización de la composición elemental de algunas muestras con un sistema de Espectroscopia de Energia Dispersiva de rayos-x (EDS) que nos permitió detectar mediante un mapeo elemental que los tres elementos Ga, As y Ge se encontraban presentes en cada una de las multicapas. Finalmente por medio de perfiles de profundidad AES se comprobó que tanto las capas de GaAs como de Ge no son puras ya que las capas de GaAs contienen una cierta concentración de Ge al igual que las capas de Ge contienen un porcentaje de GaAs.Benemérita Universidad Autónoma de PueblaSilvia Gonzalez, RutiloGomez Barojas, Estela2025-02-13T17:24:38Z2025-02-13T17:24:38Z2002Maestríainfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesishttps://hdl.handle.net/20.500.12371/25000ICUAP2002 G3 C3reponame:Repositorio Institucional de Acceso Abierto RIAA-BUAPinstname:Benemérita Universidad Autónoma de Pueblainstacron:BUAPspaBiblioteca Central 3er. pisorestrictedAccessinfo:eu-repo/semantics/openAccessoai:repositorioinstitucional.buap.mx:20.500.12371/250002026-02-23T03:08:10Z
dc.title.none.fl_str_mv Caracterizacion por microscopia electronica de barrido de heteroestructuras de GaAs-Ge/GaAs de baja dimensionalidad
title Caracterizacion por microscopia electronica de barrido de heteroestructuras de GaAs-Ge/GaAs de baja dimensionalidad
spellingShingle Caracterizacion por microscopia electronica de barrido de heteroestructuras de GaAs-Ge/GaAs de baja dimensionalidad
Galeazzi Isasmendi, Reina Galeazzi
Microbiología--Técnica--Técnica de microscopio--Microscopía electrónica--Heteroestructuras
Física--Óptica--Instrumentos y aparatos ópticos--Binoculares
Historia natural--Microscopía--Microscopios
Caracterización por microscopia electrónica
title_short Caracterizacion por microscopia electronica de barrido de heteroestructuras de GaAs-Ge/GaAs de baja dimensionalidad
title_full Caracterizacion por microscopia electronica de barrido de heteroestructuras de GaAs-Ge/GaAs de baja dimensionalidad
title_fullStr Caracterizacion por microscopia electronica de barrido de heteroestructuras de GaAs-Ge/GaAs de baja dimensionalidad
title_full_unstemmed Caracterizacion por microscopia electronica de barrido de heteroestructuras de GaAs-Ge/GaAs de baja dimensionalidad
title_sort Caracterizacion por microscopia electronica de barrido de heteroestructuras de GaAs-Ge/GaAs de baja dimensionalidad
dc.creator.none.fl_str_mv Galeazzi Isasmendi, Reina Galeazzi
author Galeazzi Isasmendi, Reina Galeazzi
author_facet Galeazzi Isasmendi, Reina Galeazzi
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Silvia Gonzalez, Rutilo
Gomez Barojas, Estela
dc.subject.none.fl_str_mv Microbiología--Técnica--Técnica de microscopio--Microscopía electrónica--Heteroestructuras
Física--Óptica--Instrumentos y aparatos ópticos--Binoculares
Historia natural--Microscopía--Microscopios
Caracterización por microscopia electrónica
topic Microbiología--Técnica--Técnica de microscopio--Microscopía electrónica--Heteroestructuras
Física--Óptica--Instrumentos y aparatos ópticos--Binoculares
Historia natural--Microscopía--Microscopios
Caracterización por microscopia electrónica
description En este trabajo se hace un análisis de caracterización por microscopia electrónica de barrido, espectroscopia de energia dispersiva y espectroscopia de electrones Auger de heteroestructuras formadas en su mayoría por 15 capas de GaAs y 15 capas de Ge. alternadas, terminando el crecimiento con una capa de GaAs, las cuales fueron crecidas por la técnica de erosión catódica tipo magnetron. El primer objetivo planteado para la caracterización de estas heteroestructuras fue la medición de los espesores de cada una de las capas que forman las heteroestructuras. Para realizar esta medición fue necesario grabar selectivamente las capas de GaAs para definirlas y asi poder hacer la medición. Esto se hizo mediante el uso de una solución compuesta de NH4OH:H₂O:H₂O en proporción 1:5:25. Al realizar el ataque quimico se determinó la velocidad de grabado del GaAs como 2.5 µm/min, lo que nos permite de acuerdo al espesor nominal reportado para las capas de GaAs aplicar un tiempo óptimo para decaparlas. El decapado nos permitió por un lado medir los espesores de las capas y por el otro hacer un estudio comparativo de la morfologia superficial de las capas de Ge. De este análisis se obtuvo, que conforme aumenta el espesor de las capas de Ge y disminuye el de las capas de GaAs la definición de las capas que forman la heteroestructura mejora, y la morfologia superficial se torna más suave. Para complementar el estudio de las heteroestructuras se realizó el análisis de las mismas mediante la caracterización de la composición elemental de algunas muestras con un sistema de Espectroscopia de Energia Dispersiva de rayos-x (EDS) que nos permitió detectar mediante un mapeo elemental que los tres elementos Ga, As y Ge se encontraban presentes en cada una de las multicapas. Finalmente por medio de perfiles de profundidad AES se comprobó que tanto las capas de GaAs como de Ge no son puras ya que las capas de GaAs contienen una cierta concentración de Ge al igual que las capas de Ge contienen un porcentaje de GaAs.
publishDate 2002
dc.date.none.fl_str_mv 2002
2025-02-13T17:24:38Z
2025-02-13T17:24:38Z
dc.type.none.fl_str_mv Maestría
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12371/25000
ICUAP2002 G3 C3
url https://hdl.handle.net/20.500.12371/25000
identifier_str_mv ICUAP2002 G3 C3
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.rights.none.fl_str_mv restrictedAccess
info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv restrictedAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.coverage.none.fl_str_mv Biblioteca Central 3er. piso
dc.publisher.none.fl_str_mv Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
publisher.none.fl_str_mv Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositorio Institucional de Acceso Abierto RIAA-BUAP
instname:Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
instacron:BUAP
instname_str Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
instacron_str BUAP
institution BUAP
reponame_str Repositorio Institucional de Acceso Abierto RIAA-BUAP
collection Repositorio Institucional de Acceso Abierto RIAA-BUAP
repository.name.fl_str_mv
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1858177686830055424
score 15,198674

Registos relacionados