Estudio de la estructura electrónica de los nitruros de aluminio, galio e indio, y de la variación de la banda prohibida de Al Ga N E In Ga N
En este trabajo se realiza un estudio de las propiedades electrónicas de los nitruros de aluminio galio e indio, y un estudio de la variación de la banda prohibida, con la concentración x, de los nitruros ternarios AlxGa1-xN e InxGa1-xN. Estos nitruros son estudiados en su fase wurtzita. Para el est...
| Autor: | |
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2003 |
| País: | México |
| Institución: | Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada |
| Repositorio: | Repositorio Institucional CICESE |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/2693 |
| Acceso en línea: | http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/2693 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | info:eu-repo/classification/Autor/Nitruros,Estructura electrónica,Aluminio,Galio,Indio,FLAPW info:eu-repo/classification/cti/1 info:eu-repo/classification/cti/22 info:eu-repo/classification/cti/2299 |
| Sumario: | En este trabajo se realiza un estudio de las propiedades electrónicas de los nitruros de aluminio galio e indio, y un estudio de la variación de la banda prohibida, con la concentración x, de los nitruros ternarios AlxGa1-xN e InxGa1-xN. Estos nitruros son estudiados en su fase wurtzita. Para el estudio de los nitruros ternarios se hace uso del modelo de supercelda con una estructura ordenada, donde los parámetros de red se determinan a partir de los parámetros de red experimentales y optimizados de los nitruros binarios. Los resultados incluyen la optimización estructural, la estructura de bandas de energía, densidad de estados y densidad de carga de los nitruros binarios, y la estructura de bandas de los nitruros ternarios. Estos materiales son de gran importancia tecnológica, gracias a que tienen aplicación en diversas áreas tecnológicas, como son optoelectrónica, iluminación, almacenamiento de información, etc. Actualmente están siendo utilizados en la elaboración de diodos laser (LD) y diodos emisores de luz (LED) cuya longitud de emisión esta en las longitudes de onda del color azul. Los cálculos se llevan a cabo con el método FLAPW (Full potential Linearzed Augment Plante Waves) dentro de la teoría DFT (Density Functional Theory) Dentro de la teoría DFT un punto de suma importancia es como se va a calcular el potencial de correlacion intercambio. La aproximación que es más utilizada es la aproximación LDA (Local Density Approximation); sin embargo, en los últimos años se ha generalizado el uso aproximaciones de tipo GGA (Generalized Graient Approximation). En este trabajo se utilizan dos aproximaciones de este tipo, la aproximación PBE96 y la aproximación EV93. Los resultados obtenidos con las dos aproximaciones se comparan entre sí y con los reportados en la literatura. De los resultados obtenidos para los nitruros binarios, se observa que los cálculos con la aproximación EV93 dan como resultado una mejor estimación de las estructuras de bandas, con valores de la banda prohibida aun por debajo de los valores experimentales, pero más cercanos que los obtenidos con PBE96. Del análisis de los resultados calculados para los nitruros ternarios se concluyó que el modelo de superceldas con una estructura ordenada, utilizadas en este trabajo, da buenos resultados para AlxGa1-xN mientras que los resultados de InxGa1-xN no son tan precisos. |
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