Nuevas rutas de preparación de óxidos y nitruros de Galio-Indio.

En el presente trabajo se describen dos métodos nuevos para sintetizar óxidos de galio-indio, (In,Gaj-x)203 con x = 0, 0.1, 0.2, 0.3 y nituros de galio-indio, In,Ga;.,N con x = 0, 0.1, 0.3, 0.5, 1. Las metas de la investigación fueron: implantar nuevas rutas de síntesis para producir compuestos semi...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: Rafael García Gutiérrez
Tipo de recurso: tesis doctoral
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2001
País:México
Institución:Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada
Repositorio:Repositorio Institucional CICESE
Idioma:español
OAI Identifier:oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/2263
Acceso en línea:http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/2263
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:info:eu-repo/classification/Autor/Materiales luminiscentes, Óxidos de galio-indio, Nitruros de galio-indio, Luminescent materials, Gallium-indium oxide, Gallium-indium nitride
info:eu-repo/classification/cti/1
info:eu-repo/classification/cti/22
info:eu-repo/classification/cti/2299
Descripción
Sumario:En el presente trabajo se describen dos métodos nuevos para sintetizar óxidos de galio-indio, (In,Gaj-x)203 con x = 0, 0.1, 0.2, 0.3 y nituros de galio-indio, In,Ga;.,N con x = 0, 0.1, 0.3, 0.5, 1. Las metas de la investigación fueron: implantar nuevas rutas de síntesis para producir compuestos semiconductores luminiscentes en polvo, caracterizar dichos polvos por medio de técnicas microscópicas y espectroscópicas, y encontrar una relación entre las propiedades opto electrónicas y la composición de los materiales sintetizados. Los 6xidos de galio-indio se prepararon por la técnica de síntesis por combustión, utilizando nitratos de indio y galio como precursores e hidracina como combustible en un ambiente inerte de argén dentro de un reactor para altas presiones. Los nitruros de galio-indio se obtuvieron por pirolisis de una sal compleja de hexafluoruro amoniacal de galio-indio ((NHy4)3In, Ga;,Fo) en una atmosfera de amoníaco ultra-puro dentro de un reactor tubular de cuarzo para altas temperaturas. Los materiales sintetizados por estos nuevos métodos se caracterizaron por las técnicas de microscopia electrónica de barrido (SEM), espectroscopia de dispersión de energía (EDS), difracción de rayos X (XRD), espectroscopia de fotoelectrones de rayos X (XPS), espectroscopia de electrones Auger (AES), espectrofotometría ultravioleta-visible (UV/VIS). En las imágenes SEM se apreció una distribución de tamaño de partícula uniforme tanto en los óxidos como en los nitruros; las micro-partículas de los 6xidos presentaron una forma de plaquetas porosas y las sub-micro partículas de los nitruros una forma hexagonal bien definida. La concentración de los elementos constituyentes y la pureza de las soluciones sólidas se estimaron por medio de los espectros de EDS. En los difractogramas de rayos X de los 6xidos de galio-indio se observé una disminución gradual en la intensidad y un corrimiento de los picos conforme se aumentaba la concentración de indio en las soluciones sólidas. En los difractogramas de rayos X de los de nitruros de galio-indio se observó una disminución de intensidad de los picos de GaN y un aumento de los picos de In,Gaj.xN e InN conforme se aumentaba la concentración de indio. Los espectros de XPS y AES mostraron que los polvos producidos por las nuevas técnicas tienen un alto grado de pureza. Por medio de la espectrofotometría UV/VIS se encontré una relación lineal entre la composición y la brecha de energía de los materiales sintetizados en esta investigación.