Crecimiento de FeN sobre GaN

Se realizaron cálculos de primeros principios, dentro del marco de la Teoría del Funcional de la Densidad (DFT), para estudiar la estructura electrónica de un sistema consistente en una capa de nitruro de hierro cúbico (FeN), crecido sobre una capa de nitruro de galio tipo wurtzita (w-GaN), con el o...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: Daniel González Sánchez
Tipo de recurso: tesis de maestría
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2012
País:México
Institución:Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada
Repositorio:Repositorio Institucional CICESE
Idioma:español
OAI Identifier:oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/984
Acceso en línea:http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/984
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:info:eu-repo/classification/Autor/Nitruro de galio,Nitruro de hierro,Funcional de densidad
info:eu-repo/classification/cti/1
info:eu-repo/classification/cti/22
info:eu-repo/classification/cti/2299
Descripción
Sumario:Se realizaron cálculos de primeros principios, dentro del marco de la Teoría del Funcional de la Densidad (DFT), para estudiar la estructura electrónica de un sistema consistente en una capa de nitruro de hierro cúbico (FeN), crecido sobre una capa de nitruro de galio tipo wurtzita (w-GaN), con el objetivo de entender las propiedades magnéticas y electrónicas del sistema FeN/w-GaN(0001). Resultados encontrados en la literatura (Lin et al., 2008) han mostrado que una película de estructura cúbica puede acomodarse bien con sustratos hexagonales, dada una particular orientación de crecimiento. Se ha simulado el crecimiento a~nadiendo monocapas de FeN una por una sobre una capa de w-GaN. La herramienta que se utilizó en la tesis es la de la teoría del funcional de densidad, que se ha desarrollado a partir de la aproximación de Thomas-Fermi-Dirac para el cálculo de la energía de un sistema, así como los teoremas de Hohenberg y Khon, y el enfoque aplicado por Kohn y Sham. Los resultados teóricos fueron comparados con los resultados encontrados en la literatura que han mostrado que películas de FeN tienen una bien orientada relación epitaxial con el sustrato y crecen suavemente en las primeras monocapas.