Estudio comparativo entre diferentes técnicas de extracción de los parámetros de ruido del TEC GaAs
La célula básica de un receptor de microondas de alta sensibilidad es un amplificador de bajo nivel de ruido. Los parámetros que deteminan el rendimineto de estos amplificadores son la pareja: figura de ruido, F, y ganacia asociada, Ga. Estos parámetros son impuestos por el tipo de tansistor utiliza...
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| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 1997 |
| País: | México |
| Institución: | Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada |
| Repositorio: | Repositorio Institucional CICESE |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/1457 |
| Acceso en línea: | http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/1457 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | info:eu-repo/classification/Administrador/Figura de ruido, Parámetros de ruido, Técnicas de estracción info:eu-repo/classification/cti/7 info:eu-repo/classification/cti/33 info:eu-repo/classification/cti/3325 |
| Sumario: | La célula básica de un receptor de microondas de alta sensibilidad es un amplificador de bajo nivel de ruido. Los parámetros que deteminan el rendimineto de estos amplificadores son la pareja: figura de ruido, F, y ganacia asociada, Ga. Estos parámetros son impuestos por el tipo de tansistor utilizado en el diseño de amplificador. Por otra parte, los parámetros que determinan el rendiemiento en ruido de un transistor de alta frecuencia son: la figura de ruido mminima, Fo, el coeficiente de reflexion optimo, Γo, y la resistencia equivalente de ruido, Rn. Resalta entonces la necesidad de disponer de tecnicas confiables para extraer los parámetros de ruido de un transistor de alta frecuencia. Basandose en el método de impedancias multiples para la medición de la figura de ruido, se han desarrollado diferentes tecnicas analiticas para extraer los parámetros de ruido de un transistor de alta frecuencia. El trabajo desarrollado ene esta esis se compone de tres partes. La primera en un estudio teórico de las diferentes tecnicas de extracción de parámetros de ruido a partir del método de las impedancias multiples. La segunda parte trata de la implementación de estas tecnicas en un software de ambiente MATLAB. Por ultimi, en la tercera parte se hace un estudio comparativo de estas tecnicas basandose en la confiabilidad de las mediciones tanto de la figura de ruido como de la impedancia de entrada. Los resultados obtenidos indican que las tecnicas mas confiables son la de VASILESCU y la de BOUDIAF. Sin embargo, cuando se producen errores superiores o iguales al 10% en la s mediciones de la figura de ruido y de las impedancias, ninguna tecnica de las aquí estudiadas permite la extracción confiable de los parámetros de ruidp para los transistores de alta frecuencia. |
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