Influencia de la luz en los TEC GaAs
Se presenta un análisis teórico y experimental de la influencia de la luz en los transistores de efecto de campo GaAs de microondas PHEMT. El objetivo es estudiar la posibilidad y relevancia de la aplicación de técnicas de iluminación óptica en tales dispositivos activos. Otra meta es reproducir los...
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| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2000 |
| País: | México |
| Institución: | Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada |
| Repositorio: | Repositorio Institucional CICESE |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/2119 |
| Acceso en línea: | http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/2119 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | info:eu-repo/classification/Autor/Estaciones telefónicas info:eu-repo/classification/cti/7 info:eu-repo/classification/cti/33 info:eu-repo/classification/cti/3325 |
| Sumario: | Se presenta un análisis teórico y experimental de la influencia de la luz en los transistores de efecto de campo GaAs de microondas PHEMT. El objetivo es estudiar la posibilidad y relevancia de la aplicación de técnicas de iluminación óptica en tales dispositivos activos. Otra meta es reproducir los fenómenos inducidos ópticamente reportados en la literatura técnica en dispositivos activos de microondas (no exactamente construidos para aplicaciones electro-ópticas) y estudiar las ventajas o desventajas de las técnicas ópticas en la mejora y/o optimización del desempeño de circuitos electrónicos de alta frecuencia. |
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