Estudio de las propiedades ópticas del óxido de indio impurificado con estaño, a partir de medidas espectrofotométricas y el modelo de osciladores clásicos.
En este trabajo se presenta el estudio de las propiedades ópticas del In2O3:Sn (ITO), a partir de las medidas experimentales de transmitancia y/o reflectancia y del modelo de osciladores clásicos amortiguados. Las muestras estudiadas son caracterizadas cuidadosamente mediante las técnicas de espectr...
| Autor: | |
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| Formato: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 1988 |
| País: | México |
| Recursos: | Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada |
| Repositorio: | Repositorio Institucional CICESE |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/2843 |
| Acesso em linha: | http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/2843 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | info:eu-repo/classification/Autor/Indio, Oxido, Propiedades ópticas, Estaño info:eu-repo/classification/cti/1 info:eu-repo/classification/cti/22 info:eu-repo/classification/cti/2299 |
| Resumo: | En este trabajo se presenta el estudio de las propiedades ópticas del In2O3:Sn (ITO), a partir de las medidas experimentales de transmitancia y/o reflectancia y del modelo de osciladores clásicos amortiguados. Las muestras estudiadas son caracterizadas cuidadosamente mediante las técnicas de espectroscopia de fotoelectrones de rayos-X, microscopia electrónica de transmisión, espectroscopia Auger y espectrosfotometría ya que las propiedades obtenidas con este método serán las correspondientes a la muestra estudiada en particular con sus propias características geométricas eléctricas, ópticas y electrónicas. Se presenta, en la parte teórica del trabajo, el modelo de osciladores clásicos amortiguados y la técnica de calculo que se utiliza para obtener, a partir de él, las propiedades ópticas del material buscando la mejor concordancia posible con los valores experimentales. Se presenta además, con propósitos de comparación, un modelo alternativo desarrollado por otro grupo de Investigación, basado en un enfoque cuático del comportamiento del material y, de la confrontación de ambos modelos, se obtienen conclusions sobre las ventajas y defectos de cada uno de ellos. Finalmente se incluye como apéndice una publicación derivada de este trabajo, en la que se utiliza con éxito el modelo en otro tipo de materiales, un semiconductor (ZnS) y un dieléctrico (MgF2). |
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