Formación de defectos en halogenuros alcalinos impurificados con Eu²+ e irradiados con luz ultravioleta.
La creación de defectos en halogenuros alcalinos contaminados con impurezas divalentes expuestos a radiación ionizante se explica mediante la creación de excitones autoatrapados (STE), los cuales pueden formarse mediante la excitación del ion halógeno o a través del atrapamiento de electrones en cen...
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2003 |
| País: | México |
| Institución: | Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada |
| Repositorio: | Repositorio Institucional CICESE |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/3379 |
| Acceso en línea: | http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/3379 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | info:eu-repo/classification/Autor/Metales info:eu-repo/classification/cti/1 info:eu-repo/classification/cti/22 info:eu-repo/classification/cti/2299 |
| Sumario: | La creación de defectos en halogenuros alcalinos contaminados con impurezas divalentes expuestos a radiación ionizante se explica mediante la creación de excitones autoatrapados (STE), los cuales pueden formarse mediante la excitación del ion halógeno o a través del atrapamiento de electrones en centros Vk producidos durante el proceso de ionización del ion halógeno. La recombinación luminiscente del excitón autoatrapado produce una luminiscencia excitónica característica y la recombinación no radiativa causa la formación de los defectos tipo Frenkel, pares de centros F - H. Experimentalmente se ha demostrado que el mismo tipo de cristales, expuestos a radiación no ionizante del tipo UV de alrededor de 230 nm, producen defectos Frenkel similares. La situación es interesante toda vez que fotones de 230 nm (5.3 eV) no pueden crear excitones directamente ya que se encuentran en un nivel energético de aproximadamente 2.4 eV inferior a la energía necesaria para la producción de los mismos. Con el objeto de investigar el tipo de proceso de creación de defectos con luz UV de energía por debajo de la energía de la banda prohibida en halogenuros alcalinos contaminados con Eu2+ sobre todo buscando información experimental que permita explicar la creación de defectos producidos por la radiación no ionizante, se realizó el presente trabajo. Las técnicas de termoluminiscencia y luminiscencia Ópticamente estimulada se utilizaron para investigar comparativamente los efectos de la radiación ionizante y no ionizante, relacionados con la creación de los pares electrón-hueco producidos por la radiación, y la naturaleza de los procesos de recombinación responsables por la emisión de luz térmica y óptimamente estimulada. Se encontró que, independientemente de la energía de la radiación utilizada para la excitación, la emisión provenía de la transición 4ƒ65d(t2g)-4f7 (8S7/2) del ion Eu2+ caracterizada por una banda ancha centrada en 420 nm y una componente adicional en 460 nm de origen posiblemente intrínseco. Se determinó que tanto los centros F y Fz participan en los procesos termoluminiscente y de luminiscencia óptimamente estimuladas, lográndose identificar aquellos picos de TL estrictamente asociados a los centros F (pico en 470 K para el KCl: Eu2+) y Fz (pico en 370 K). Además, mediante un proceso de fotoestimulación selectiva se obtuvo evidencia de que el centro F (pico en 470 K) está directamente involucrado en el proceso de luminiscencia óptimamente estimulada. Se exam |
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