Optimización teórica y experimental de un amplificador de bajo ruido criogénico en banda X
Uno de los componentes más importantes en los receptores de microondas es el amplificador de bajo ruido, cuya figura de ruido afecta directamente la sensitividad del receptor. Una forma de disminuir considerablemente dicha figura de ruido consiste en enfriar criogénicamente al amplificador con lo cu...
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| Formato: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2004 |
| País: | México |
| Recursos: | Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada |
| Repositorio: | Repositorio Institucional CICESE |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/3869 |
| Acesso em linha: | http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/3869 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | info:eu-repo/classification/autor/Microondas, Amplificador de Bajo Ruido, Figura de Ruido, Criogenia, Transistor HEMT info:eu-repo/classification/autor/Microwave, Low Noise Amplifier, Noise Figure, Cryogenic, HEMT Transistor info:eu-repo/classification/cti/7 info:eu-repo/classification/cti/33 info:eu-repo/classification/cti/3325 info:eu-repo/classification/cti/330708 |
| Resumo: | Uno de los componentes más importantes en los receptores de microondas es el amplificador de bajo ruido, cuya figura de ruido afecta directamente la sensitividad del receptor. Una forma de disminuir considerablemente dicha figura de ruido consiste en enfriar criogénicamente al amplificador con lo cual se logra a su vez incrementar ampliamente la sensitividad de los receptores. En este trabajo se presentan diferentes aspectos concernientes al diseño y optimización de un amplificador de bajo ruido de una sola etapa que opera en la banda de 8.75 a 9.25 GHz a la temperatura de 11 Kelvin utilizando como dispositivo activo un transistor de alta movilidad electrónica (HEMT) de InGaAs. Se diseña el amplificador para una ganancia de 10 dB y 0.05 dB de figura de ruido a temperatura criogénica (11 K). Se presenta una descripción del diseño y proceso de fabricación del circuito integrado de microondas del amplificador. |
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