Análisis y diseño de amplificadores de reflexión de mediana potencia
La amplificación de microondas por reflexión se usó ampliamente hasta la popularización del transistor y desde entonces no ha tenido aplicación extensa. En este trabajo de tesis se propone un análisis del amplificador de reflexión, sin utilizar el concepto de resistencia negativa. Posteriormente se...
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| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2005 |
| País: | México |
| Institución: | Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada |
| Repositorio: | Repositorio Institucional CICESE |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:cicese.repositorioinstitucional.mx:1007/3868 |
| Acceso en línea: | http://cicese.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1007/3868 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | info:eu-repo/classification/autor/amplificador de reflexión con transistores, amplificador de mediana potencia, alta eficiencia, extracción del circuito equivalente del transistor, base de pruebas coplanar-microcinta, base de pruebas coaxial-microcinta info:eu-repo/classification/autor/transistor reflection amplifier, medium power amplifier, high efficiency, transistor equivalent circuit extraction, coaxial-microstrip test fixture, coaxial-microstrip test fixture. info:eu-repo/classification/cti/7 info:eu-repo/classification/cti/33 info:eu-repo/classification/cti/3325 info:eu-repo/classification/cti/330708 |
| Sumario: | La amplificación de microondas por reflexión se usó ampliamente hasta la popularización del transistor y desde entonces no ha tenido aplicación extensa. En este trabajo de tesis se propone un análisis del amplificador de reflexión, sin utilizar el concepto de resistencia negativa. Posteriormente se explica su diseño para manejo de mediana potencia en régimen lineal, de aproximadamente 0.5 W con una sola etapa, bajo la hipótesis de que el amplificador de reflexión puede operar con un consumo relativamente bajo de potencia de CD, consiguiendo una buena eficiencia. Del análisis se deriva la importancia que tiene el circuito equivalente del transistor para diseñar el amplificador de reflexión. Por tanto, se propusieron mejoras para algunos de los métodos existentes para la extracción del modelo, tanto analíticos como aquellos basados en optimización, y se aplicaron para encontrar el circuito equivalente. Se diseñaron, construyeron y caracterizaron dos bases de prueba diferentes, una coplanar-microcintacoplanar y otra coaxial-microcinta-coaxial, como requerimientos para la medición del transistor, la cual se realizó mediante bancos automatizados para medir en CD, parámetros S y potencia con un programa de cómputo desarrollado. Como resultado del trabajo se presentan varias alternativas de diseño de amplificadores de reflexión para las bandas C y X a las frecuencias de 3.5, 3.75, 4 y 11.4 GHz, que proporcionan ganancias desde 10.9 a 14.3 dB con una variación máxima de 1.07 dB, los anchos de banda respectivos se encuentran entre 2.2% y 13%. Las configuraciones superficiales presentadas están listas para la fabricación y se incluyen recomendaciones de montaje. Las simulaciones de un diseño presentado proporcionan una potencia de salida de 447 mW con un consumo de potencia de CD de 22.5 mW que comprueba la hipótesis que se formuló sobre la eficiencia del amplificador de reflexión. |
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