Transición electrónica fundamental en pozos cuánticos GaN/InGaN/GaN con estructura de zincblenda
En este trabajo calculamos la energía de transición entre el primer nivel de huecos y el primer nivel de electrones (1h-1e)en pozos cuánticos de GaN/InxGa1-xN/GaN con estructura cúbica. Los cálculos los realizamos mediante la aproximaciónempírica de amarre fuerte (tight binding) con una base de orbi...
| Autores: | , , , |
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| Tipo de documento: | artigo |
| Estado: | Versão publicada |
| Data de publicação: | 2006 |
| País: | México |
| Recursos: | Universidad Autónoma de Zacatecas |
| Repositório: | Redalyc-UAZ |
| OAI Identifier: | oai:redalyc.org:94219302 |
| Acesso em linha: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94219302 |
| Access Level: | Acceso aberto |
| Palavra-chave: | Física, Astronomía y Matemáticas Aleaciones Pozos cuánticos Estados electrónicos |
| Resumo: | En este trabajo calculamos la energía de transición entre el primer nivel de huecos y el primer nivel de electrones (1h-1e)en pozos cuánticos de GaN/InxGa1-xN/GaN con estructura cúbica. Los cálculos los realizamos mediante la aproximaciónempírica de amarre fuerte (tight binding) con una base de orbitales atómicos sp3s*, interacción a primeros vecinos eincorporando el acoplamiento espín-órbita, en conjunto con el método de empalme de las funciones de Green desuperficie. Los parámetros de amarre fuerte de la aleación los obtuvimos a partir de los parámetros de los compuestosbinarios GaN e InN, utilizando la aproximación del cristal virtual. Analizamos el comportamiento de la energía detransición como función del ancho del pozo para x=0.1 y x=0.2, usando varios valores del band offset. La tensión en elpozo la tomamos en cuenta escalando los parámetros de amarre fuerte considerando dos conjuntos de valores para la leyde escalamiento |
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