Síntesis de pozos cuánticos de GaN/InGaN/GaN en estructura cúbica para emisión sintonizada de luz
"En años recientes la utilización de dispositivos de iluminación de luz blanca de estado sólido ha ido aumentando de forma significativa. El ahorro en energía y por tanto económico a largo plazo que dispositivos como LED's pueden traer a nivel mundial son considerables. Por ello, la búsque...
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2016 |
| País: | México |
| Institución: | Instituto Potosino de Investigación Científica y Tecnológica |
| Repositorio: | Repositorio Institucional del IPICYT |
| OAI Identifier: | oai:ipicyt.repositorioinstitucional.mx:1010/1517 |
| Acceso en línea: | http://ipicyt.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1010/1517 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | info:eu-repo/classification/Autor/Pozos cuánticos de GaN/InGaN/GaN info:eu-repo/classification/Autor/Luz blanca info:eu-repo/classification/Autor/Diodos info:eu-repo/classification/cti/7 info:eu-repo/classification/cti/33 info:eu-repo/classification/cti/3312 |
| Sumario: | "En años recientes la utilización de dispositivos de iluminación de luz blanca de estado sólido ha ido aumentando de forma significativa. El ahorro en energía y por tanto económico a largo plazo que dispositivos como LED's pueden traer a nivel mundial son considerables. Por ello, la búsqueda de una mayor eficiencia en dichos dispositivos ha sido un tema constante de investigación en las empresas fabricantes de diodos emisores de luz que existen en el mercado. Los diodos emisores de luz blanca que existen actualmente contienen la fase hexagonal de la aleación ternaria InGaN. Teóricamente se sabe que la fase cúbica podría ser más eficiente que la hexagonal. Con la ayuda de técnicas de caracterización como difracción de rayos X, difracción de electrones de altas energías, microscopía de barrido, microscopía de fuerza atómica y fotoluminiscencia, en esta tesis se analizaron las condiciones óptimas de crecimiento de GaN, InN y InGaN en fase cúbica crecidas mediante epitaxia por haces moleculares. Una vez que se encontraron las condiciones óptimas, se sintetizaron pozos cuánticos individuales de InGaN con barreras de GaN. Luego, una heterestructura de pozos de InGaN en fase cúbica se construyó. Mediante fotoluminiscencia se encontraron distintas emisiones de la muestra dentro del espectro visible" |
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