Preparación de muestras de Cd1-xMnxTe por erosión catódica de radio frecuencia
Películas semiconductoras policristalinas de fueron crecidas por la técnica de erosión catódica de radiofrecuencia sobre substratos de vidrio Corning 7059 a temperatura ambiente a partir de un blanco de CdTe-Mn.Pequeñas laminillas de Mn fueron colocadas sobre la superficie del blanco de CdTe cubrien...
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| Tipo de documento: | artigo |
| Estado: | Versão publicada |
| Data de publicação: | 2000 |
| País: | México |
| Recursos: | Instituto Politécnico Nacional |
| Repositório: | Redalyc-IPN |
| OAI Identifier: | oai:redalyc.org:94201109 |
| Acesso em linha: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201109 |
| Access Level: | Acceso aberto |
| Palavra-chave: | Física, Astronomía y Matemáticas VI CdMnTe ancho de banda erosión catódica semiconductores II |
| Resumo: | Películas semiconductoras policristalinas de fueron crecidas por la técnica de erosión catódica de radiofrecuencia sobre substratos de vidrio Corning 7059 a temperatura ambiente a partir de un blanco de CdTe-Mn.Pequeñas laminillas de Mn fueron colocadas sobre la superficie del blanco de CdTe cubriendo pequeñasáreas. Las propiedades ópticas y estructurales de las películas fueron estudiadas como una función de laconcentración de Mn. Se encontró que cuando el Cd es sustituido en la red de CdTe por Mn, la brecha deenergía de aumenta hasta alcanzar un valor de 1.64 eV, para un valor de x=0.03. De estos resultados se puedeconcluir que es factible obtener un compuesto ternario de Cd1-xMnxTe por co-erosión catódica a partir de unblanco de CdTe-Mn |
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