Ferromagnetism in wide band gap materials: Mn-ZnO and Mn-Si3N4 thin films.

Tesis Doctoral elaborada en el Departamento de Materiales para las Tecnologías de la Información del Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (ICMM-CSIC) y presentada en el Departamento de Física de Materiales de la Facultad de Ciencias Físicas de la Universidad Autónoma de Madrid el 30 de octub...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: Céspedes, Eva
Tipo de recurso: tesis doctoral
Fecha de publicación:2009
País:España
Institución:Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
Repositorio:DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
OAI Identifier:oai:digital.csic.es:10261/22712
Acceso en línea:http://hdl.handle.net/10261/22712
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:Semiconductores de gap ancho
Semiconductores magnéticos diluidos
DMS
Oxidos ferromagnéticos
Nitruros ferromagnéticos
Multicapas
Láminas delgadas
Sputtering
XAS
XANES
EXAFS
Semiconductores II-VI
Nitruro de manganeso
Nanopartículas de Au
Wide band gap semiconductors
Diluted magnetic semiconductors
Ferromagnetic oxides
Ferromagnetic nitrides
Multilayers
Thin films
II-VI Semiconductors
MnZnO
Gold nanoparticles
Interfaces
Mn3N2
Mn oxidation state
Manganese nitride
Intercaras
Estado de oxidación del Mn
Descripción
Sumario:Tesis Doctoral elaborada en el Departamento de Materiales para las Tecnologías de la Información del Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (ICMM-CSIC) y presentada en el Departamento de Física de Materiales de la Facultad de Ciencias Físicas de la Universidad Autónoma de Madrid el 30 de octubre de 2009.