Raman scattering from fully strained Ge1 -xSnx (x 0.22) alloys grown on Ge(001) 2 x 1 by low-temperature molecular beam epitaxy
Article
| Autor: | |
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| Formato: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2012 |
| País: | México |
| Recursos: | Instituto Politécnico Nacional |
| Repositorio: | Repositorio Digital del IPN |
| OAI Identifier: | oai:www.repositoriodigital.ipn.mx:123456789/8555 |
| Acesso em linha: | http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/8555 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | Ge1 -xSnx |
| Resumo: | Article |
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